플라즈몬에 의한 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법

Nitride light emitting device having improved light emitting efficiency using plasmons

  • Inventors:
  • Assignees: 한국광기술원
  • Publication Date: November 04, 2014
  • Publication Number: KR-101455798-B1

Abstract

본 발명은 발광효율이 개선된 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, p형 반사성 콘택층(110)과; 상기 p형 반사성 콘택층(110) 상부에 형성된 p형 질화물층(120)과; 상기 p형 질화물층(120) 상부에 형성된 활성층(130)과; 상기 활성층(130) 상부에 형성된 n형 질화물층(140)과; 금속 나노입자(151)를 포함한 절연층(152)에 의해 절연이 이루어져 상기 p형 반사성 콘택층(110), p형 질화물층(120) 및 활성층(130)을 관통하여 선단부가 상기 n형 질화물층(140)과 콘택이 이루어지도록 마련되는 n형 전극(153)을 갖는 플라즈몬 발생부(150);를 포함하여, 수직형 질화물 발광소자에서 국부적인 플라즈몬 공명(Plasmon Resonance) 효과에 의한 발광효율을 높일 수가 있으며, 또한 출광면에 광 추출효율에 불리한 전극 배치구조를 배제하여 발광효율을 더욱 개선할 수 있다.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-20100085329-AJuly 29, 2010삼성엘이디 주식회사반도체 발광소자
    KR-20120138725-ADecember 26, 2012삼성전자주식회사반도체 발광소자 및 이의 제조방법

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    Title

Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-9786817-B2October 10, 2017Samsung Electronics Co., Ltd.Semiconductor light emitting device