저항 드리프트 효과들을 처리하는 메모리 리딩 방법

Memory reading method taking care of resistance drift effects

Abstract

저항 드리프트를 경감시키는 상 변화 메모리를 리드하는 기술이 개시되다. 본 발명에 따른 방법의 일 예는 복수의 전기 입력 신호들을 상기 메모리 셀에 인가하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 복수의 전기 입력 신호들에서 기인하는 상기 메모리 셀로부터의 복수의 전기 출력 신호들을 측정하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 메모리 셀에서 무정형 재료의 구성에 의존하는 상기 복수의 전기 출력 신호들의 불변 성분을 계산하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 불변 성분에 기초하여 상기 메모리 셀의 메모리 상태를 결정하는 단계를 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 방법은 복수의 측정값 영역들 중 하나의 측정값 영역에 상기 복수의 전기 출력 신호들을 매핑하는 단계를 더 포함한다. 상기 측정값 영역들은 상기 메모리 셀의 메모리 상태들에 대응한다.

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Patent Citations (2)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-2007201267-A1August 30, 2007Thomas Happ, Breitwisch Matthew J, Hsiang-Lang LungSense circuit for resistive memory
    WO-2008053472-A2May 08, 2008Anobit Technologies Ltd.Reading memory cells using multiple thresholds

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