초격자 구조의 장벽층을 갖는 근자외선 발광 다이오드

Near-uv light emitting diode having barrier layer of superlattice structure

Abstract

초격자 구조의 장벽층을 갖는 근자외선 발광 다이오드가 개시된다. 질화갈륨 계열의 N형 화합물 반도체층과 질화갈륨 계열의 P형 화합물 반도체층 사이에 활성영역을 갖는 근자외선 발광 다이오드에 있어서, 상기 근자외선 발광 다이오드는 활성 영역이 웰층과 초격자 구조의 장벽층을 포함하고, 360~410nm 파장범위의 근자외선을 방출하는 것을 특징으로 한다. 초격자 구조의 장벽층을 채택함에 따라, 웰층과 장벽층 사이의 격자 불일치에 기인한 결함 발생을 감소시킬 수 있다. 근자외선, 발광 다이오드, 질화갈륨(GaN), 질화인듐갈륨(InGaN), 웰층, 장벽층, 초격자(superlattice)

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2003218396-AJuly 31, 2003Mitsubishi Cable Ind Ltd, 三菱電線工業株式会社Ultraviolet-ray emitting element
    KR-100604406-B1July 18, 2006삼성전기주식회사질화물 반도체 소자

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