Tunnel fet and methods for forming the same

터널 fet 및 이의 형성 방법

Abstract

터널 전계 효과 트랜지스터(TFET; tunnel field-effect transistor)는 게이트 전극, 소스 영역, 및 드레인 영역을 포함한다. 소스 및 드레인 영역은 반대 전도성 타입으로 이루어진다. 채널 영역은 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치된다. 소스 확산 배리어는 채널 영역과 소스 영역 사이에 배치된다. 소스 확산 배리어 및 소스 영역은 게이트 전극 아래에 게이트 전극과 중첩된다. 소스 확산 배리어는 소스 영역, 드레인 영역, 및 채널 영역의 제2 밴드갭보다 더 큰 제1 밴드갭을 갖는다.

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    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2011181617-ASeptember 15, 2011Toshiba Corp, 株式会社東芝Semiconductor device, and method of manufacturing the same
    KR-101058370-B1August 22, 2011서강대학교산학협력단트랩을 갖는 터널링 전계효과 트랜지스터

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Cited By (1)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    KR-101580828-B1December 29, 2015서울시립대학교 산학협력단Apparatus and method for determining design parameter capable of minimizing random variation of symmetric tunnel field-effect transistor